중국 대규모 메모리 반도체 제조, 내년부터 본격 가동 시작

by 아키텍트 posted Apr 29, 2018
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드디어 올것이 오는 것인가, 대만 시장 조사 회사 DRAMeXchange는 중국 내 3개 반도체 제조 업체가 낸드 플래시 및 DRAM 생산을 2019년부터 시작한다고 보고했다.


보고서에 따르면 대규모 생산 체제로 이행하는 것은 YMTC, Innotron, JHICC 3개 업체로 Innotron과 JHICC는 당초 발표보다 늦은 2018년 3분기로 시험 생산을 연기했으나 양산 시작은 2019년 상반기로 예정되고 있다. Innotron은 최초 양산 제품으로서 LPDDR4 8Gb 칩을 생산하여 삼성전자와 SK 하이닉스 등 업계 톱 DRAM 제조 업체와 곧바로 경쟁하는 자세를 보이고 있으며 DRAMeXchange에 따르면 잠재적으로 특허 침해 문제를 안고 있을 가능성이 있기 때문에 최초에는 안전한 접근으로 중국 시장 내에서만 판매 할 가능성이 높다고 밝혔다. 그러나 중국 내수 시장만 확보해도 폭발적인 물량을 확보할 수 있다.

 

YMTC는 3D NAND 플래시의 제조 공장을 3개 건설 예정으로 제 1공장은 2017년 9월에 건설이 이미 완료됐으며 2018년 3분기에 생산 설비 설치, 4분기에 시험 생산을 시작한다. 시험 생산은 32층 MLC NAND 생산이 이루어지며 생산량은 1개월당 1만장 미만이 전망되고 있다.

DRAMeXchange는 제 2, 제 3공장 건설에 대해서는 YMTC가 64층 NAND 설계를 완성시킨 뒤 상황에 맞춰 계획되고 있다고 밝혔다.


장기적 전망으로 DRAM은 2019년의 양산 시작 이후 2020~2021년에는 공장이 가동될 수 있다고 예측되고 있으며 JHICC와 Innotron 합계로 월 25만 웨이퍼 생산 능력이 예상되면서 세계의 DRAM 시장에 영향을 주는 규모가 된다고 밝혔다.


NAND 플래시는 YMTC 3개의 공장은 모두 30만 웨이퍼의 월 생산 능력을 가질 것이라고 보고 있으며 64층 NAND 개발이 완료되는대로 대규모 생산을 시작할 가능성이 있어 향후 전 세계 NAND 플래시 시장 전체의 판을 뒤집을 것으로 전망되고 있다.


중국은 차세대 국가 산업 차원에서 메모리 반도체 공장을 계속해서 늘릴 예정이며 자국산 반도체를 기업이 반 강제적으로 사용하는 정책을 적용할 것으로 예상되고 있다. 따라서 내년부터 향후 1년 1년 시간이 흐를수록 메모리 생산 물량이 폭증할 수 밖에 없기 때문에 삼성과 하이닉스의 장기적인 메모리 반도체 산업에 전례없는 근본적인 위기가 다가오고 있다.






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