램이 작업을 수행할 때 걸리는 시간을 램 클럭을 기준으로 대기 시간을 정하는 옵션이다. 숫자를 적게 잡으면 램이 더 빠르게 작동하지만 신호를 놓쳐 시스템이 불안정해지는 원인이 되기도 한다. 오버클럭에 관심이 있다면 여러 사이트에서 램은 7-3-3-2.5 또는 6-3-3-2 등으로 했다는 말을 들어봤을 것이다. 바로 램 타이밍을 말하는 숫자다.
T(RAS): row address strobe. 데이터가 있는 곳의 행(raw) 주소를 받는 데에 걸리는 시간이다. 평균 6~8 정도로 맞춘다.
T(RCD): RAS-to-CAS delay. 열 주소(column address strobe)와 행 주소(row address strobe) 사이의 기다리는 시간을 말한다. 평균 2~3 정도로 맞춘다.
T(RP) : RAS precharge time. 한 사이클에 데이터가 몇 번이나 돌아오는지 정한다. 평균 2~3 정도로 맞춘다.
CAS latency: 읽은 행 주소에 필요한 열 주소를 찾는 데 걸리는 시간이다. 대부분 2~3이다. 흔히 램 상품 정보에 CL 2, CL 2.5, CL 3이라고 표시한 것이 CAS latency를 말한다. CL 2.5짜리가 가장 많고, 이따금 CL 2나 CL 3짜리도 찾아볼 수 있다.
CAS / RAS
하드디스크 컨트롤러(Controller)를 활성화하고, 입출력 포트가 사용하는 시스템 자원이 충돌하지 않도록 하며 메모리 타이밍과 관련된 항목을 설정하는 곳입니다.
메모리는 1과 0의 디지털 값을 기억하고 읽는 기능을 수행하는 반도체 소자를 모아둔 것입니다. 메모리 내부를 논리적으로 표현하면 행과 열로 구성된 2차원 배열로 나타낼 수 있는데 행과 열이 교차하여 생기는 사각형 하나하나를 셀이라 하고 셀 하나하나엔 1bit의 데이타가 저장됩니다. 이 저장되어 있는 데이타들을 불러오려면 행과 열을 각각 지정하는 신호가 필요한데 메모리의 행 어드레스를 지정하는 신호가 RAS이고 메모리의 열 어드레스를 지정하는 신호가 CAS입니다. 그리고 CPU가 CAS / RAS 신호를 보내어 요구한 메모리의 정보가 도착할 때까지의 시간을 Latency라고 합니다.
SDRAM Configuration
SDRAM의 메모리 타이밍을 설정하는 항목입니다. 메모리 타이밍은 사용자가 조절할 수 있지만, CMOS Setup을 완벽하게 하는 실력자가 아니라면 기본값을 유지하는 것이 좋습니다.
권장값
일반적으로 기본값은 바이오스가 자동으로 적절한 메모리 타이밍을 관련 정보가 기록된 DIMM EEPROM에 기록하도록 'By SPD'로 설정됩니다. SPD는 'Serial Pressence Detect'의 약자로 SDRAM의 메모리 타이밍을 검색해 설정합니다. By SPD로 설정하면 메모리 타이밍과 관련된 항목을 번거롭게 설정하지 않아도 됩니다. 또 다른 설정값은 메모리 속도를 설정하는 것으로 메모리 속도는 ns로 나타내며 숫자가 작을수록 빠릅니다. 하지만 SDRAM의 메모리 타이밍을 수동으로 설정해 최적의 메모리 타이밍을 찾으려는 분이라면 이 항목의 값을 Disabled로 설정하면 됩니다.
SDRAM CAS Latency
SDRAM의 CAS 대기시간을 설정하는 항목입니다. 여기서 대기 시간이란 Latency를 말합니다. CAS는 대기 시간이 적은 램일수록 빠르게 동작하는데 2T나 3T로 설정할 수 있습니다. 이는 2번의 클럭이 지난 후에 읽느냐 3번의 클럭이 지난 후에 읽느냐의 차이입니다. 2T로 설정하는 것이 더 빠르다는 결론이 나옵니다.
SDRAM RAS to CAS Delay
메모리의 각 셀에 대한 내용을 읽기 위한 신호인 CAS, RAS 두 신호는 다소의 시간 차이를 두고 발생합니다. 이 항목에서 그 시간 차이를 설정합니다. 즉, RAS에서 CAS 신호로 바뀔 때의 대기시간을 설정하는 곳입니다. 이 값이 정확하지 않으면 PC 사용에 많은 문제가 나타납니다. 가장 작은 값인 2T로 설정합니다. 그런 다음 윈도우를 실행시켜보고 문제가 생긴다면 SDRAM Configuration을 By SPD로 바꿔줍니다.
SDRAM RAS Precharge Time
데이터를 읽어낸 후 SD램을 다시 액티브한 상태로 해서 RAS를 설정할 수 있을 때까지 필요한 클럭수를 나타냅니다. DRAM(Dynamic RAM)은 매순간 데이타를 재기록하기 위해 전원을 재충전하는 리프레시 작업이 필요합니다. SDRAM 역시 DRAM의 일종으로 리프레시 작업이 필요한데 이런 리프레시 작업 도중에는 램이 정상적인 데이타 입출력 동작을 하지 못합니다. 따라서 램 용량이 커서 충전하는 주기가 길면 램 속도가 느려지고, 짧으면 램 속도가 빨라집니다. 충전 주기는 RAS 신호부터 시작되기 때문에 RAS 지정 타이밍에 비해 DRAM의 충전 주기가 조금 빠른 경우가 최적의 상태입니다. 이 값 또한 정확하지 않으면 PC 사용에 많은 문제가 발생합니다. 2T로 설정한 후 윈도우를 실행시키고 문제가 생긴다면 SDRAM Configuratiion을 By SPD로 바꿔줍니다.
8 Bit/16Bit I/O Recovery Time
ISA 카드의 입출력 시간을 조정하는 항목입니다. CPU는 I/O보다 더 빠르게 동작합니다. 때문에 구형 I/O 카드에서는 이것이 동작하기 위한 시간을 필요로 하는데 이를 Recovery Time이라고 한다. 따라서 구형 I/O 카드를 사용하는 사람은 이 시간을 더 늘려서 빠른 CPU의 요구에 대한 I/O의 동작시간을 설정해야 합니다.
일반적으로 기본값은 바이오스가 자동으로 적절한 메모리 타이밍을 관련 정보가 기록된 DIMM EEPROM에 기록하도록 'By SPD'로 설정됩니다. SPD는 'Serial Pressence Detect'의 약자로 SDRAM의 메모리 타이밍을 검색해 설정합니다. By SPD로 설정하면 메모리 타이밍과 관련된 항목을 번거롭게 설정하지 않아도 됩니다. 또 다른 설정값은 메모리 속도를 설정하는 것으로 메모리 속도는 ns로 나타내며 숫자가 작을수록 빠릅니다. 하지만 SDRAM의 메모리 타이밍을 수동으로 설정해 최적의 메모리 타이밍을 찾으려는 분이라면 이 항목의 값을 Disabled로 설정하면 됩니다.
권장값
32비트의 PCI 슬롯은 8비트 또는 16비트의 ISA 슬롯보다 속도가 빠릅니다. 때문에 이 두 슬롯이 문제 없이 동작하도록 하는 것이 가장 중요합니다. 이 값은 메인보드마다 약간씩의 차이가 있기 때문에 기본값으로 설정하는 것이 좋습니다.
T(RAS): row address strobe. 데이터가 있는 곳의 행(raw) 주소를 받는 데에 걸리는 시간이다. 평균 6~8 정도로 맞춘다.
T(RCD): RAS-to-CAS delay. 열 주소(column address strobe)와 행 주소(row address strobe) 사이의 기다리는 시간을 말한다. 평균 2~3 정도로 맞춘다.
T(RP) : RAS precharge time. 한 사이클에 데이터가 몇 번이나 돌아오는지 정한다. 평균 2~3 정도로 맞춘다.
CAS latency: 읽은 행 주소에 필요한 열 주소를 찾는 데 걸리는 시간이다. 대부분 2~3이다. 흔히 램 상품 정보에 CL 2, CL 2.5, CL 3이라고 표시한 것이 CAS latency를 말한다. CL 2.5짜리가 가장 많고, 이따금 CL 2나 CL 3짜리도 찾아볼 수 있다.
CAS / RAS
하드디스크 컨트롤러(Controller)를 활성화하고, 입출력 포트가 사용하는 시스템 자원이 충돌하지 않도록 하며 메모리 타이밍과 관련된 항목을 설정하는 곳입니다.
메모리는 1과 0의 디지털 값을 기억하고 읽는 기능을 수행하는 반도체 소자를 모아둔 것입니다. 메모리 내부를 논리적으로 표현하면 행과 열로 구성된 2차원 배열로 나타낼 수 있는데 행과 열이 교차하여 생기는 사각형 하나하나를 셀이라 하고 셀 하나하나엔 1bit의 데이타가 저장됩니다. 이 저장되어 있는 데이타들을 불러오려면 행과 열을 각각 지정하는 신호가 필요한데 메모리의 행 어드레스를 지정하는 신호가 RAS이고 메모리의 열 어드레스를 지정하는 신호가 CAS입니다. 그리고 CPU가 CAS / RAS 신호를 보내어 요구한 메모리의 정보가 도착할 때까지의 시간을 Latency라고 합니다.
SDRAM Configuration
SDRAM의 메모리 타이밍을 설정하는 항목입니다. 메모리 타이밍은 사용자가 조절할 수 있지만, CMOS Setup을 완벽하게 하는 실력자가 아니라면 기본값을 유지하는 것이 좋습니다.
권장값
일반적으로 기본값은 바이오스가 자동으로 적절한 메모리 타이밍을 관련 정보가 기록된 DIMM EEPROM에 기록하도록 'By SPD'로 설정됩니다. SPD는 'Serial Pressence Detect'의 약자로 SDRAM의 메모리 타이밍을 검색해 설정합니다. By SPD로 설정하면 메모리 타이밍과 관련된 항목을 번거롭게 설정하지 않아도 됩니다. 또 다른 설정값은 메모리 속도를 설정하는 것으로 메모리 속도는 ns로 나타내며 숫자가 작을수록 빠릅니다. 하지만 SDRAM의 메모리 타이밍을 수동으로 설정해 최적의 메모리 타이밍을 찾으려는 분이라면 이 항목의 값을 Disabled로 설정하면 됩니다.
SDRAM CAS Latency
SDRAM의 CAS 대기시간을 설정하는 항목입니다. 여기서 대기 시간이란 Latency를 말합니다. CAS는 대기 시간이 적은 램일수록 빠르게 동작하는데 2T나 3T로 설정할 수 있습니다. 이는 2번의 클럭이 지난 후에 읽느냐 3번의 클럭이 지난 후에 읽느냐의 차이입니다. 2T로 설정하는 것이 더 빠르다는 결론이 나옵니다.
SDRAM RAS to CAS Delay
메모리의 각 셀에 대한 내용을 읽기 위한 신호인 CAS, RAS 두 신호는 다소의 시간 차이를 두고 발생합니다. 이 항목에서 그 시간 차이를 설정합니다. 즉, RAS에서 CAS 신호로 바뀔 때의 대기시간을 설정하는 곳입니다. 이 값이 정확하지 않으면 PC 사용에 많은 문제가 나타납니다. 가장 작은 값인 2T로 설정합니다. 그런 다음 윈도우를 실행시켜보고 문제가 생긴다면 SDRAM Configuration을 By SPD로 바꿔줍니다.
SDRAM RAS Precharge Time
데이터를 읽어낸 후 SD램을 다시 액티브한 상태로 해서 RAS를 설정할 수 있을 때까지 필요한 클럭수를 나타냅니다. DRAM(Dynamic RAM)은 매순간 데이타를 재기록하기 위해 전원을 재충전하는 리프레시 작업이 필요합니다. SDRAM 역시 DRAM의 일종으로 리프레시 작업이 필요한데 이런 리프레시 작업 도중에는 램이 정상적인 데이타 입출력 동작을 하지 못합니다. 따라서 램 용량이 커서 충전하는 주기가 길면 램 속도가 느려지고, 짧으면 램 속도가 빨라집니다. 충전 주기는 RAS 신호부터 시작되기 때문에 RAS 지정 타이밍에 비해 DRAM의 충전 주기가 조금 빠른 경우가 최적의 상태입니다. 이 값 또한 정확하지 않으면 PC 사용에 많은 문제가 발생합니다. 2T로 설정한 후 윈도우를 실행시키고 문제가 생긴다면 SDRAM Configuratiion을 By SPD로 바꿔줍니다.
8 Bit/16Bit I/O Recovery Time
ISA 카드의 입출력 시간을 조정하는 항목입니다. CPU는 I/O보다 더 빠르게 동작합니다. 때문에 구형 I/O 카드에서는 이것이 동작하기 위한 시간을 필요로 하는데 이를 Recovery Time이라고 한다. 따라서 구형 I/O 카드를 사용하는 사람은 이 시간을 더 늘려서 빠른 CPU의 요구에 대한 I/O의 동작시간을 설정해야 합니다.
일반적으로 기본값은 바이오스가 자동으로 적절한 메모리 타이밍을 관련 정보가 기록된 DIMM EEPROM에 기록하도록 'By SPD'로 설정됩니다. SPD는 'Serial Pressence Detect'의 약자로 SDRAM의 메모리 타이밍을 검색해 설정합니다. By SPD로 설정하면 메모리 타이밍과 관련된 항목을 번거롭게 설정하지 않아도 됩니다. 또 다른 설정값은 메모리 속도를 설정하는 것으로 메모리 속도는 ns로 나타내며 숫자가 작을수록 빠릅니다. 하지만 SDRAM의 메모리 타이밍을 수동으로 설정해 최적의 메모리 타이밍을 찾으려는 분이라면 이 항목의 값을 Disabled로 설정하면 됩니다.
권장값
32비트의 PCI 슬롯은 8비트 또는 16비트의 ISA 슬롯보다 속도가 빠릅니다. 때문에 이 두 슬롯이 문제 없이 동작하도록 하는 것이 가장 중요합니다. 이 값은 메인보드마다 약간씩의 차이가 있기 때문에 기본값으로 설정하는 것이 좋습니다.
