삼성전자, 중국 시안 반도체 2기 라인 착공

삼성전자가 3D V낸드 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다.

삼성전자는 3월28일 오전 중국 산시성(陕西省) 시안시(西安市)에서 후허핑(胡和平) 산시성 성위서기, 먀오웨이(苗圩) 공신부 부장, 류궈중(刘国中) 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사, 삼성전자 대표이사 김기남 사장 등이 참석한 가운데‘삼성 중국반도체 메모리 제 2라인 기공식’을 실시했다.

지난 17년 8월 삼성전자는 시안 반도체 2기 라인 투자를 위해 산시성(陕西省) 정부와 MOU를 체결한 바 있으며 향후 3년간 총 70억 불을 투자하기로 했다.

이로써 삼성전자는 중국 시안에 반도체 2기 라인을 구축해 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응 하겠다는 계획이다.

보도 - 삼성전자