삼성, 차세대 트랜지스터로 2022년 3나노 공정 제공

삼성은 2022년 3nm 실리콘 제조 공정을 제공 할 계획으로, 이를 통해 트랜지스터 기술이 크게 개선 될 전망이다. 우리는 이미 삼성이 트랜지스터 채널을 훨씬 잘 제어하여 더 작은 노드에서 누수를 방지하는 Gate-All-Around FET 기술을 개발하고 있다고 언급했다. 그러나 오늘 삼성은 MBCFET이라고하는 3nm 제조 공정을 위해 다가오는 멀티 브리지 채널 FET 기술에 대한 몇 가지 세부 정보를 추가했다.

Hardwareluxx의 보고서 덕분에 MBCFET 기술과 그 특성에 대한 자세한 정보가 있다. 첫째, MCBFET이 GAAFET의 일부라는 점은 주목할 가치가 있다. 이는 GAAFET이 하나의 제품이 아니라 개념에 기반한 많은 클래스라는 것을 의미한다. MCBFET 성능이 향상되는 한 삼성은 이 기술이 전력을 50% 적게 사용하면서 30% 더 높은 성능을 제공 할 것이라고 밝혔다. 삼성은 하나의 트랜지스터 당 약 45% 더 적은 실리콘 공간이 확보 될 것으로 예측하고 있다. 이 기술을 사용하면 트랜지스터를 서로 쌓을 수 있으므로 일반 FinFET에 비해 본질적으로 적은 공간을 사용한다. MCBFET GAA 트랜지스터는 트랜지스터 폭을 유연하게 만들 수 있기 때문에 전체 스택형 트랜지스터는 디자이너가 요구하는 만큼 넓을수 있어 저전력 또는 고성능과 같은 시나리오에 맞게 조정할 수 있다.

출처 - https://www.techpowerup.com/265751/samsung-to-deliver-3-nm-manufacturing-process-in-2022-with-next-generation-transistors