도시바는 세계 최초로 TSV 기술을 이용한 3bit/ 셀(TLC)의 3차원 플래시 메모리 "BiCS FLASH"를 개발하고 6월부터 개발용 시제품의 제공을 시작했다고 발표했다. 샘플 출하는 2017년을 예정하고 있으며 8월 7일~10일 미국 산타클라라에서 열리는 "Flash Memory Summit 2017"에서 전시한다.
TSV는 여러개의 칩 내부를 수직으로 관통하는 전극을 이용함으로써 데이터 입출력의 고속화와 저전력을 실현하는 것으로 2차원 NAND 플래시 메모리에 이미 적용 실적이 있다.
이번에 48층 적층 프로세스를 이용한 3차원 플래시 메모리에 적용함으로써 쓰기 대역 향상과 소비 전력 저감을 실현하여 와이어 본딩 제품과 비교해 전력 효율을 2배로 향상시킨다. 또 512Gbit의 칩을 하나의 패키지 내에 16단 적층 하는 것으로 총 용량 1TB를 실현했다.
향후로는 접속 지연 시간 저감이나 전송 속도의 고속화 등으로 단위 소비 전력당 높은 IOPS가 필요한 엔터프라이즈 SSD 및 플래시 스토리지로 실용화를 추진한다.
제품 패키지는 NAND Dual x8 BGA-152, 용량은 512GB(8층) 또는 1TB(16층), 사이즈는 14×18mm(폭×두께), 높이는 512GB 모델이 1.35mm, 1TB 모델이 1.85mm, 인터페이스는 Toggle DDR로 최대 속도는 1,066Mbps.
