미국 인텔과 마이크론은 26일(현지시간) 1다이당 48GB라는 대용량을 실현한 3차원 NAND 플래시 기술을 개발했다고 발표했다.
플로팅 게이트 셀을 채용한 3차원 NAND 기술로 셀을 수직으로 적층함으로써 기존 NAND 기술과 비교해 3배 용량을 실현한다. 이에 의한 비용 절감과 저전력화, 고성능화를 달성했다.
구체적으로는 2bit/Cell에 256Gbit(32GB), 3bit/Cell(TLC)에서 384Gbit(48GB)라고 하는 대용량을 실현한 다이를 32층으로 적층. 이에 따라 1칩으로 1TB(2bit/Cell)또는 1.5TB(3bit/Cell)를 달성해 판자 껌 크기의 SSD에 3.5TB 이상, 표준적인 2.5인치 SSD로 10TB 이상의 용량을 실현할 수 있다는 것.
또 성능과 내구성 모두를 향상하고 데이터 센터 SSD용에도 TLC를 이용한 설계가 가능하게 한다.
256Gbit 제품은 일부 파트너에 샘플이 출하되고 있으며 384Gbit 제품도 올 봄 후반에 샘플을 출하. 두 제품 모두 2015년 4분기까지 양산을 시작한다.
출처 - http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20150327_694897.html
