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hbm2e.jpg


SK Hynix는 업계 최고의 HBM2E의 개발을 완료하고 2020년부터 양산을 시작한다고 밝혔다.

 

HBM2E는 핀당 3.6Gbps 전송이 가능하고, 1024개의 데이터 입출력을 갖춰 HBM2 보다 50% 빠른 460GB/s 이상의 대역폭을 지원한다. TSV(실리콘 관통 비아)기술을 이용함으로써 16Gb칩을 최대 8층 스택으로 HBM2의 2배인 16GB 데이터 용량을 탑재하는 고밀도 패키지를 실현했다.

 

제품은 모듈 패키지로 제공되고, GPU나 논리 칩 등의 프로세서로 수㎛의 거리로 밀접하게 상호 접속되어 고속의 데이터 전송이 가능하며 최고의 메모리 성능을 요구하는 하이엔드 GPU 및 슈퍼 컴퓨터, 머신러닝, 인공지능 시스템 등에 최적이라고 밝히고 있다.


■ HBM (High Bandwidth Memory, 고대역폭 메모리)
- 고대역폭 메모리로 TSV 기술을 활용해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품.
 
■ TSV (Through Silicon Via)
- D램 칩(Chip)에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술
- 버퍼 칩 위에 여러 개의 D램 칩을 적층 한 뒤 전체 층을 관통하는 기둥형태의 이동 경로를 구성해 데이터, 명령어, 전류를 전달함
- 일반적으로 기존에 사용되던 패키지 방식들보다 크기는 30% 이상, 전력 소모는 50% 이상 줄어드는 효과 발생
 
■ 데이터 처리 속도 계산
- 1GB(기가바이트) = 8Gb(기가비트)
- HBM2E pin 당 3.6Gbps x 1024개 정보입출구(I/O) = 3686.4Gbps
- 3686.4Gbps / 8 = 460.8GB/s (Gb -> GB 환산)






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