도시바 메모리, 세계 최초 64층 QLC 3D V-NAND 개발

by 아키텍트 posted Jul 01, 2017
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도시바가 세계 최초의 4bit/cell(QLC)기술을 이용한 3D 플래시 메모리 BiCS FLASH를 개발하고 기본 동작 및 성능을 확인했다고 발표했다.


QLC는 기존 3bit/cell(TLC)와 비교하여 셀 기록 비트 수가 1개 늘어나기 때문에 대용량 메모리 제품을 실현한다. 시제품은 64층 적층 프로세스를 이용하여 768Gbit(96GB상당)의 업계 최대 용량을 실현하고 있으며 이미 6월 초순부터 SSD 업체와 컨트롤러 업체 개발용으로 제공하고 있다.


도시바는 768Gbit의 칩을 1패키지 내에 16층 적층하는 업계 최대 용량인 1.5TB을 실현한 패키지 제품을 8월에 샘플 출하할 예정으로 동 패키지 제품을 8월 7일부터 10일까지 미국 산타 클라라에서 열리는 Flash Memory Summit 2017에서 전시한다.


향후로는 96층 적층 프로세스를 이용한 512Gbit(64GB 상당) BiCS FLASH 제품화도 계획한다. 또한 WD도 27일 96층 3D NAND, BiCS4 개발에 성공했다고 발표했다. BiCS4는 TLC 및 QLC로 제공될 전망이다.






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