샌디스크는 4일 256Gbit의 기억 용량을 갖춘 새로운 3D NAND 칩의 시험 생산에 들어갔다고 밝혔다.
이 256Gbit의 3D NAND는 MLC의 3bit/셀에서 메모리 셀 배열은 BiCS(Bit Cost Scalable)기술로 48층으로 구성되며 동사는 이 구성을 세계 최초라 밝히고 있다. 지금까지 발표에 따르면 이 회사의 최신 3D NAND는 128Gbit의 MLC(2bit/ 셀)이었다.
샌디스크는 도시바와 공동으로 3D NAND를 개발했고 두 회사가 운영하는 욧카이치 공장에서 이번 3D NAND의 시험적 생산이 이뤄진다. 이 3D NAND를 탑재한 제품의 등장은 2016년 이후로 소비자부터 엔터프라이즈까지 폭넓게 전개하겠다고 밝혔다.
출처 - http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20150804_714841.html