미국 인텔과 Micron Technology는 양사의 공동 연구에 의한 완전히 새로운 비휘발성 메모리 3D XPoint를 개발하고 양산을 시작했다고 발표했다.

 

낸드플래시 등장이후 25년 만에 새롭게 등장한 3D XPoint는 새로운 구조로 기존 낸드 대비 최대 1000배의 고속화를 실현한다.

 

3D XPoint는 10년 이상의 연구 개발 기간을 거쳐 개발된 독자적인 크로스 포인트 아키텍처를 탑재한다. 워드 선과 비트 선의 교차점에 메모리 셀을 배치하는 3D 바둑판을 만들 수 있기 때문에 메모리 셀에 대한 개별 접근이 가능해진다.

크로스 포인트 배열 구조는 도체가 수직으로 배치되어 1280억의 메모리 셀과 연결되는 3차원 고밀도 설계로 DRAM의 10배 집적도가 된다. 현재 메모리 셀이 2층 구조로 되어 있으며 대당 128Gbit의 데이터를 저장할 수있다. 향후에는 적층수를 늘려 용량을 더욱 향상시킨다고 한다.

트랜지스터가 불 필요한 것은 메모리 셀이 셀렉터에서 보낸 다양한 전압에서 읽기/쓰기를 할 수 있기 때문에 이에 의한 대용량화와 저비용화를 실현한다.

인텔은 올해 3D XPoint을 채용한 제품의 샘플 출하를 시작하며 그에 따라 고집적 등의 기계 학습과 패턴 분석, 유전자 분석 등 대용량 데이터의 고속 처리에 대한 기대뿐만 아니라 8K 게이밍 등 엔터테인먼트 분야에서의 응용 프로그램 창출을 촉진시킬 것이라 밝히고 있다.