곧 발매될 Apple의 차기 맥북 에어에는 최대 400Mbps(메가 비트 초)의 퍼포먼스를 발휘하는 NAND 플래시 메모리가 탑재되어 현재 throughput의 약 1.5배의 속도가 실현될것이라고 밝혀졌다.

 

 

많은 노트북 PC와는 달리 MacBook Air는 하드 드라이브 및 odd도 갖추지 않는 대신, 내부의 mass storage 디바이스에 얇은 플래시 보드를 적용하고 있다.

 

블로그 사이트 Macotakara 는 "아시아의 전자 부품 회사 관계자" 로부터 얻은 정보에서 Apple은 새로운 Double Data Rate(DDR) 2.0인터페이스에 대응한 플래시 메모리 칩을 채용할 예정이라고 밝히고 있다.

 

이 소문이 사실일 것인가는 아직까지 확인 되고 있지 않지만, Apple의 초대 MacBook Air에 사용하고 있었던 도시바의 Blade X-gale NAND 플래시로부터 이후의 MacBook Air에는 Samsung의 플래시 메모리로 교체한 과거의 사실 비추어, 이러한 업그레이드는 놀란만한 사실은 아니다. 현재의 MacBook Air에 탑재되고 있는 Samsung의 플래시 메모리는 읽기 속도가 261Mbps, 쓰기 속도가 209Mbps로 DDR 1.0 기술을 베이스로 하고 있다.

 

DDR 2.0은 오늘날 넓게 사용되고 있는 40Mbps의 SDR(Single Data Rate) NAND 플래시의 10배에 달하는 스피드를 실현할 수 있다.

 

Samsung은 2011년 5월, DDR 2.0 대응 멀티 레벨·셀(MLC) 플래시 칩을 제조하고 있다고 발표했다. Samsung의 플래시 칩은 20 나노미터를 적용하고 있고, 이러한 칩의 퍼포먼스는 선행 기술의 3배까지 진화했다.

 

DDR NAND 플래시에는 2가지 종류의 형태로, 하나는 Samsung과 도시바가 채용하고 있는 「Toggle Mode」 또 다른 하나는 Open NAND Flash Interface(ONFI) 워킹 그룹이 추진 하고 있는 「ONFI NAND」다. ONFI 프로토콜을 사용하고 있는 플래시 제조 기업에는 Intel과 Micron, SanDisk, Hynix 및 Spansion등이 있다. 금년 3월, ONFI 워킹 그룹은 DDR 2 인터페이스 규격의 차세대 3.0 규격에 대해 발표했다. 이쪽의 throughput도 최대 400Mbps에 이르지만, 핀수가 반정도기 때문에 사이즈가 상대적으로 작다.

 

Samsung의 NAND 플래시 보드는 3개의 모델이 준비되고 있으며 용량은 각각 64GB, 128GB, 256GB. Samsung의 새로운 DDR 2.0 MLC 플래시 칩은, DDR 1.0 기술에 근거하는 칩의 캐퍼시티의 2배에 달하는 능력을 갖는다. 무엇보다 이 칩에 이만큼의 캐퍼시티가 있다고 해도, 플래시 메모리 컴퍼넌트의 캐퍼시티도 배증하고 있다는 것은 아니다. 플래시 제조 기업은 일반적으로 제품 사이즈를 축소하는 목적으로 캐퍼시티는 이전과 같게 유지하면서 진화한 기술을 적용하기도 하는 부분이 있기 때문이다.