미국 Intel과 Micron Technology는 4월 14일, 업계 최초의 최첨단 20nm 프로세스 기술을 적용하여 더욱 진보된 NAND 플래시 메모리를 발표했다. 스마트폰과 태블릿등의 모바일 스토리지의 용량이나 스펙의 향상으로 연결될 것으로 전망되고 있다. 

Intel과 Micron은 성명에서 새로운 신형 NAND 플래시 메모리는 기존의 기술로 제조된 플래시 메모리보다 높은 기록 밀도를 실현한다고 밝히고 있다. 신형 NAND 플래시 메모리는 양 회사의 합작회사인 미국 IM Flash Technologies(IMFT)에서 제조된다. 

플래시 메모리는 미국 Apple의 iPad나 iPhone 등과 같은 컨슈머 일렉트로닉스 제품에서 동영상이나 음악등의 데이터 보존에 넓게 사용되고 있다. 플래시 메모리의 미세화에 의해 스토리지 용량의 확충 및 화면 사이즈의 확대, 배터리의 대용량화와 같은 스펙 향상의 여지가 추가적으로 발생한다. 

발표된 NAND 플래시 메모리는 1개의 셀에 복수의 비트 데이터를 기억하는 MLC(멀티 레벨 셀) 형의 8GB 디바이스. 25nm 프로세스로 제조되어 온 기존의 8GB 디바이스와 비교해서 회로 기판의 공간이 30 ~ 40% 축소됐지만, 동일한 내구성과 퍼포먼스가 유지되고 있다. 

반도체 부분의 대기업인 삼성전자는 2010년 4월, SD메모리 카드 등에 사용되는 20nm NAND 플래시 메모리의 생산을 시작했다고 발표했다. 미국 VDC Research Group의 애널리스트는 2011년 2월, Intel, 미국 SanDisk, 일본의 도시바가 제휴하여 2010년~20년의 중반대를 목표로 10nm 플래시 메모리의 실현에 임하고 있다고 밝혔다. 

이번에 발표된 8GB NAND 플래시 메모리 디바이스는 현재 샘플을 출하중이며 금년 후반에 양산에 들어갈 예정.