울산과학기술원(UNIST) 연구진이 기존 2진법 반도체에 비해 초절전, 고성능, 소형화 등에서 장점이 있는 '3진법 반도체' 상용화 가능성을 확인하는 연구에 성공했다. 김경록 UNIST 전기전자컴퓨터공학부 교수팀은 '3진법 금속-산화막-반도체(Ternary Metal-Oxide-Semiconductor)'를 대면적 웨이퍼에 구현했다고 7월 17일 밝혔다. 연구 결과는 국제학술지 '네이처 일렉트로닉스(Nature Electronics)'에 7월 15일 발표됐다.