Samsung Electronics는 26일(현지시간)업계 최초의 용량 128GB을 실현한 서버용 DDR4 RDIMM의 양산을 시작했다고 발표했다.

삼성은 메모리 칩 간에 수직으로 관통한 전극을 이용하여 신호를 전송하는 실리콘 관통 전극(TSV:Through Silicon Via)를 채용한 것으로 64GB의 용량을 실현한 DDR4 메모리를 2014년 양산했다. 이번에는 같은 20nm급 프로세스로 메모리 칩 용량을 4Gbit에서 8Gbit로 한 것으로 모듈의 용량도 배가됐다. 전송 속도는 2400Mbps.

 

삼성은 앞으로 몇 주안에 128GB DDR4 LRDIMM 생산을 시작하고 향후 HBM(High Bandwidth Memory) 채용을 내다보며 2677Mbps, 3200Mbps와 같은 고속 칩도 제공할 것이라 밝혔다.

 

출처 - http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20151126_732321.html