미국 마이크론 테크놀로지는 9일(현지시간), 초박형 노트 PC나 태블릿을 위한 저전력 DDR3 DRAM를 발표했다. 마이크론은 이 메모리를「DDR3Lm」이라고 호칭하고 있다. 현재 샘플을 출하중이며 양산은 2012년 2분기부터 시작된다.
용량은 2 Gbit, 4 Gbit로 분류되며 1.35 V의 DDR3L 메모리와 비교하여 2 Gbit 모델은 1,600 MT/sec의 퍼포먼스로 셀프 리프레쉬 전력이 50% 정도 감소했다고 밝혔다. 4 Gbit 모델의 대기 전류는 3.7 mA로 데이터 전송 속도는 최대 1,866MT/sec.
제조 공정 레벨은 30나노미터