삼성전자는 18일 신형 NAND 플래시와 컨트롤러를 탑재한 2.5인치 SSD, 840 EVO 시리즈를 발표했다. 라인 업은 120/250/500/750GB/1TB 로 8월초 월드 와이드로 발매한다.
840 시리즈의 후속 제품으로 840의 21나노 NAND 플래시 메모리가 1xnm 프로세스의 2세대 Toggle DDR 2.0(400Mbps)3bit MLC로 컨트롤러는 MDX에서 MEX로 진화하여 펌웨어도 개선됐다. 기존 840과 비교해 연속 쓰기 속도는 2~3배로 4KB 랜덤 읽기 속도는 3할 정도 고속화, 소비 전력은 감소하고 내구성과 신뢰성은 동등한 수준을 유지하고 있다고 밝혔다.
840 | 840 EVO | |||||
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120GB | 250GB | 500GB | 120GB | 250GB | 500GB/750GB/1TB | |
연속 읽기(MB/sec) | 530 | 540 | 540 | 540 | 540 | 540 |
연속 쓰기(MB/sec) | 130 | 250 | 330 | 410 | 520 | 520 |
랜덤 읽기(4KB/QD1)(IOPS) | 7,900 | 7,900 | 7,900 | 10,000 | 10,000 | 10,000 |
랜덤 쓰기(4KB/QD1)(IOPS) | 29,000 | 29,000 | 29,000 | 33,000 | 33,000 | 33,000 |
랜덤 읽기(4KB/QD32)(IOPS) | 86,000 | 96,000 | 98,000 | 94,000 | 97,000 | 98,000 |
랜덤 쓰기(4KB/QD32)(IOPS) | 32,000 | 62,000 | 70,000 | 35,000 | 66,000 | 90,000 |
랜덤 쓰기 성능을 향상시키는 것은 새롭게 탑재한 터보 라이트 기술에 의한 것으로, 이 기술은 NAND의 일부를 버퍼로 이용함으로써 고속화를 꾀하고 있다. 따라서 버퍼 크기를 넘는 양의 전송이 한번에 일어났을 때는 일시적으로 840에 가까운 곳까지 성능이 떨어지지만 일반적인 용도에서는 꽉 차지 않을 정도의 버퍼 사이즈를 확보하고 있다고 밝혔다.