삼성은 9일(미국 시간) 다이당 1Tb을 실현하는 V-NAND 솔루션과 데이터 센터 전용 SSD의 새로운 폼 팩터를 발표했다.

대용량화 된 1Tb V-NAND 칩은 방대한 데이터를 고속으로 처리할 때 요구되는 빅 데이터 분야, 특히 기계 학습과 실 시간성이 높은 데이터 분석에 기여한다고 한다. 이 기술을 사용한 제품의 등장은 2018년을 예정하고 있다. 1Tb 다이를 16층 스택, 1칩당 2TB를 실현할 전망이다.

서버용 SSD의 새로운 폼 팩터 "NGSFF(Next Generation Small Form Factor)"는 데이터 센터 등에서 이용되는 랙 마운트에 최적화되고 공간의 이용 효율을 개선하는 동시에 스토리지 용량과 IOPS를 향상시킨다. 구체적으로는 M.2 드라이브로 구성한 1U 스토리지와 비교해 4배 이상의 용량을 탑재할 수 있다.

테스트 환경에서는 36기의 16TB NGSFF SSD를 사용하여 1U 당 576TB를 실현, 2.5인치 SSD의 3배인 1천만 IOPS(랜덤 읽기)를 기록하여 2U 사이즈로 1PB의 SSD 스토리지를 구축할 수 있게 된다.

인텔도 마찬가지인 랙 마운트 전용 폼 팩터 "Ruler"를 7일 발표하고 있고 이쪽도 장기적으로 1U 당 1PB을 실현하는 것이 예정되어 있다. 

출처 - http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1075461.html