퀄컴 및 삼성은 18일 차기 모바일 프로세서 Snapdragon 835를 삼성의 10nm FinFET 프로세스에서 제조한다고 발표했다.
삼성의 10nm FinFET 프로세스는 14nm FinFET 프로세스와 비교해 면적 효율이 30% 향상되고 27%의 성능 향상 또는 40%의 전력 저감이 가능하여 Snapdragon 835는 대용량 배터리의 탑재나 날씬한 스마트폰 디자인을 가능하게 한다.
또 Snapdragon 835는 Quick Charge 4라 불리는 새로운 기술이 탑재된다고 밝혔다. Quick Charge 4는 Dual Charge로 불리는 독자적인 충전 기술을 채용해 Quick Charge 3.0과 비교하면 20% 빠르고 30% 효율적으로 충전할 수 있으며 불과 5분 충전으로 5시간 이상의 구동을 가능하게 한다.
Quick Charge 4는 3세대 Intelligent Negotiation for Optimum Voltage(INOV) 기술을 채용. 실시간으로 열을 감시하고 열의 상태에 맞추면서 최적의 전력 전송을 한다. 또 AC 어댑터와 단말기 쌍방의 안전성을 확보하고 전압, 전류, 온도를 정확히 파악하면서 충전을 하고 배터리와 시스템, 케이블이나 커넥터의 훼손으로부터 보호한다.
이 Quick Charge 4 때문에 퀄컴은 새로운 전원 관리 IC "SMB1380" 및 "SMB1381"을 개발해 임피던스 최고 95%의 효율 및 고속 충전 기능을 가지면서 두께를 0.8mm 이하로 억제했다고 한다.